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元件在不同气氛下使用温度和表面负荷的控制
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气氛
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炉温
(℃)
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表面负荷
(W/cm2)
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对元件的影响
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解决办法
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氨
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1290
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3.8
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与SiC作用生成甲烷减少SiO2保护膜
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露点激活
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CO2
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1450
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3.1
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侵蚀碳化硅
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用石英管保护
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18%
CO
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1500
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4.0
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无影响
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20%
CO
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1370
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3.8
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吸附碳粒影响SiO2保护膜
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卤素
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704
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3.8
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侵蚀碳化硅减少SiO2保护膜
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用石英管保护
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碳氢化合物
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1310
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3.1
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吸附碳粒而致热污染，分解的碳沉积，易造成电器故障
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送进充分的空气
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氢
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1290
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3.1
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与SiC作用生成甲烷减少SiO2保护膜
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露点激活
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甲烷
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1370
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3.1
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吸附碳粒而致热污染
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N
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1370
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3.1
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与SiC反应形成氮化硅绝缘层
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Na
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1310
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3.8
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侵蚀碳化硅
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用石英管保护
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SO2
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1310
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3.8
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侵蚀碳化硅
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用石英管保护
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真空
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1204
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3.8
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氧
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1310
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3.8
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碳化硅被氧化
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水（不同含量）
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1090~
1370
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3.1~3.6
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与SiC作用生成硅的水化物
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